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内田 哲平; 砂押 剛雄*; 小無 健司*; 加藤 正人
Journal of Nuclear Materials, 452(1-3), p.281 - 284, 2014/09
被引用回数:9 パーセンタイル:57.19(Materials Science, Multidisciplinary)アクチニド酸化物の物性評価を試験とシミュレーション計算により行っている。熱膨張は分子動力学(MD)法により物性値計算を行うために重要なデータである。本研究ではPuOの熱膨張について試験とMD法により評価を行った。試験では95%TDのPuOのペレットを使用し、熱膨張計により300-1923Kの範囲で熱膨張測定を行った。MD法では、部分イオンモデルのBorn-Mayer-HugginsポテンシャルにMorseポテンシャルを加えた原子間ポテンシャルを使用して、300-2800Kの範囲で格子定数を計算し、格子定数から熱膨張を評価した。熱膨張測定結果とMD法による熱膨張はよく一致しており、両データから300-2800Kの範囲におけるPuOの熱膨張評価式を導出した。
Johnson, B. C.; 大島 武; McCallum, J. C.*
no journal, ,
Solid phase epitaxy (SPE) is an important process used to activate dopants on a low thermal budget in Si and Ge device fabrication. The enhancement of the SPE rate by the presence of dopants is well described by a Fermi level effect as encapsulated by the generalized Fermi level shifting (GFLS) model. Dopant dependent deviations from the model have recently been attributed to dopant-induced lattice strain in the plane of growth. Here, data is presented over a broad range of dopant concentrations and SPE anneal temperatures in both Si and Ge including new results in Sb doped Ge. Although an active Sb concentration above the solubility limit is achieved a significant portion of the implanted atoms are not. Theoretical predictions using a simple form of the generalized Fermi level shifting model which incorporates both dopant and dopant-induced stress effects is shown to agree well with all data. A single set of two parameters are determined which describe the dopant enhanced SPE data well independent of dopant species and concentration.